陶瓷 · 石英 · 硅,三大材料国产化替代,覆盖主流半导体工艺设备
圆芯陶瓷材料零件专为半导体刻蚀、CVD等腔室内关键部位设计,具有高抗等离子体性、优异介电强度和强耐腐蚀性, 全面满足先进制程工艺对零件纯度和可靠性的严苛要求。
用于传输 RF / 微波能量进入等离子体蚀刻腔室,在 RF/微波频率具有低损耗正切(高透射率),可抵抗等离子体蚀刻环境侵蚀。支持大气等离子氧化铝涂层 / AD 氧化铝涂层。
覆盖晶圆边缘,保护腔室关键组件延长使用寿命。直接暴露在沉积工艺中,要求强等离子体耐久性和高纯度。涵盖 6寸 / 8寸 / 12寸规格,可带 ARC 铝熔射面。
用于在沉积设备中创造清洁、惰性、受保护的腔室环境。在沉积或蚀刻过程中暴露于等离子体,需要高等离子体耐久性、纯度和介电强度的综合特性。
设计用于精确的气体流速和均匀控制,将气体均匀分散至蚀刻工艺室。需要高的抗等离子体性、介电强度,以及对工艺气体和副产品的强腐蚀性。
用于大气/真空环境下机器人接触/非接触处理和移动晶圆。要求尺寸精确、热稳定,具有光滑耐磨的支点表面,在不同应用场景中可满足防静电需求。
各类定制化陶瓷结构件,满足不同半导体工艺设备的特殊需求。可根据客户设备型号和工艺要求进行精密加工,提供个性化解决方案。
圆芯石英材料零件对纯度及气泡夹杂物具有严格管控,同时对零件表面的金属及颗粒污染进行精密控制, 以满足更高制程节点的工艺要求。
刻蚀系统用石英零件对材料纯度及气泡夹杂物具有很高要求,且需对核心零件表面的金属及颗粒污染进行严格控制,满足更高制程节点的工艺需求。
外延工艺应用的石英钟罩、衬环等异形火加工器件,具有优异的抗高温变形特性,可在高温外延工艺环境中保持尺寸稳定性和纯净度。
扩散工艺专用的石英炉管、石英舟、石英保温桶等,以及快速退火(RTP)设备用石英零件。要求超高纯度和优异的热稳定性,满足严苛工艺环境。
圆芯硅材料零件采用高纯单晶/多晶硅制造,具备优异的等离子体耐受性和极低金属污染, 适用于先进制程节点的刻蚀和外延等工艺场景。
硅喷淋头电极广泛应用于刻蚀设备腔室内,用于均匀分布工艺气体。具有高纯度和良好的等离子体耐受性,确保工艺气体均匀分布及腔室的稳定运行。
多晶硅排气扇/环应用于半导体刻蚀和沉积设备腔室,用于均匀导流和保护腔室关键部件。具备优异的耐等离子腐蚀性能,延长腔室零件使用寿命。
高纯单晶硅环用于刻蚀设备边缘区域的保护与密封,具备超高纯度(≥99.9999%)和极低金属污染特性,适用于先进制程节点的严苛工艺要求。
除陶瓷、石英、硅三大主材外,圆芯还可加工多种特种材质,以及提供完整的定制化解决方案。
圆芯具备多材质精密加工能力,可根据客户工艺需求加工以下特种材料零件: